等离子膜 发明专利 1021
序号 专利号 名称
1 02115096.6 可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法
2 02134493.0 一种类金刚石复合扬声器振膜的制备方法
3 02147704.3 制备金刚石和类金刚石薄膜的方法
4 02147241.6 负压等离子体装置及负压等离子体清洗方法
5 01136319.3 具有防止电极碳化结构的等离子体聚合装置
6 01136322.3 利用等离子体的连续聚合系统的门开关装置
7 01136241.3 沉积制程的工作平台
8 01143387.6 半导体集成电路装置的制造方法
9 02133050.6 金／铁系元素复合膜上制备碳纳米管的方法
10 02137189.X 化学汽相淀积生成TiN阻挡层的方法
11 02147067.7 具有贯通孔的构造体、其制造方法、及液体排出头
12 02122272.X 层压橡胶塞的制造方法
13 02121623.1 半导体膜、半导体器件和它们的生产方法
14 02121528.6 涂层的处理方法及利用该方法制造半导体器件的方法
15 02150282.X 半导体器件的制造方法和半导体器件
16 02147949.6 互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法
17 02155256.8 碳纳米管载铂钌系列抗CO电极催化剂的制备方法
18 02153329.6 CVD装置
19 01132289.6 并行检测多个生物学信号的表面等离子体共振生物传感器
20 01807846.X 抗静电硬涂层用组合物、抗静电硬涂层、其制造方法及抗静电硬涂层层压体膜
21 02152989.2 透明导电膜、其形成方法与具有该透明导电膜的物品
22 01140455.8 偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法
23 02160651.X 真空电弧蒸镀方法及装置
24 02114481.8 精密叶片热锻模具PCVD等离子体渗镀复合强化方法
25 02134426.4 活塞环的表面喷钼处理
26 02123649.6 含有无序纳米复合薄膜的光存储介质及其应用
27 02124461.8 "灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法"
28 02127247.6 半导体元件的硅化物膜的形成方法
29 02128635.3 半导体元件用金属布线的后处理方法
30 02124706.4 于一半导体晶片表面上沉积一薄膜的方法
31 01137433.0 半导体器件的制造方法
32 02140706.1 半导体器件制造方法及处理液
33 02126314.0 半导体装置及其制造方法
34 01804728.9 薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置
35 02139983.2 绝缘膜刻蚀装置
36 02158825.2 氧化硅膜制作方法
37 02154239.2 半导体元件的元件隔离膜的形成方法
38 02128187.4 利用铝的防止铜扩散膜的形成方法
39 02130352.5 半导体器件及其制造方法
40 02159828.2 半导体器件内形成铜引线的方法
41 03104779.3 高深宽比硅深刻蚀方法
42 01810653.6 用于聚合物与容器的阻隔层
43 01810393.6 一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离
44 02143228.7 保护膜图案形成方法以及半导体器件制造方法
45 03115558.8 产生单偏振的偏振器
46 03115557.X 产生单偏振的偏振方法
47 02114821.X 便携式电子装置屏幕保护盖及其加工方法
48 03104241.4 等离子体处理方法及装置
49 02103495.8 连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成
50 01811344.3 被处理体的保持装置
51 03106641.0 内燃机气缸工作表面的表面层以及施加该表面层的方法
52 03116165.0 高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺
53 02104120.2 H⁺离子刻蚀金刚石核制备(001)高取向金刚石薄膜的方法
54 03116008.5 一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法
55 01813173.5 表面等离子体振子共振传感器的耦合元件
56 03131541.0 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法
57 03128121.4 制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置
58 03114880.8 在氧化铝陶瓷上进行金刚石薄膜定向生长的方法
59 03138457.9 制造非晶金属氧化物膜的方法以及制造具有非晶金属氧化物膜的电容元件和半导体器件的方法
60 03131570.4 一种器件级纳米硅薄膜及其制备工艺
61 02114079.0 一种除掉ε－己内酰胺水溶液中微量杂质的方法
62 02800199.0 溅射设备
63 01815495.6 集成电路浅沟槽隔离方法
64 02800314.4 硅薄膜的形成方法及硅薄膜太阳能电池
65 01815622.3 多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
66 02800261.X 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
67 01811665.5 消耗品的消耗程度预测方法、沉积膜厚度预测方法及等离子体处理装置
68 03124224.3 基于夹固振膜结构的微声学器件及其制作方法
69 02151378.3 半导体器件及其制造方法
70 03109156.3 石英玻璃喷镀部件及其制造方法
71 03107647.5 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
72 03106093.5 半导体装置及其制造方法
73 02157586.X 光发电装置及其制造方法
74 01816013.1 等离子体处理装置及排气环
75 01815564.2 有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻
76 96110029.X 形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法
77 96108235.6 用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法
78 95116419.8 界面控制制备耐氯芳香聚酰胺反渗透复合膜的方法
79 95111762.9 织物表面金属化处理的方法及其设备与产品
80 95192302.1 具有涂碳的高能表面的保护膜
81 96107491.4 制造半导体器件的方法
82 95109580.3 形成光致抗蚀图形的方法
83 96110918.1 制造半导体器件的方法
84 96110701.4 清洗真空处理设备的方法
85 96116401.8 砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
86 95116589.5 内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线
87 96119833.8 制备自对准硅化物结构半导体器件的方法
88 96120535.0 等离子体工艺设备的腔体腐蚀
89 96121174.1 形成铁电薄膜的方法及其设备
90 96121673.5 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
91 96119897.4 用化学机械抛光的平整步骤制造半导体器件的方法
92 95114023.X 一种在大型异形部件表面涂覆低应力非金属膜的方法
93 96190236.1 脉冲离子束辅助淀积
94 97102155.4 半导体器件的制造方法
95 97104034.6 等离子体增强电化学表面陶瓷化产品的电泳涂漆方法
96 97104035.4 等离子体增强电化学表面陶瓷化的能量控制方法
97 96190818.1 薄膜晶体管的制造方法、有源矩阵基板的制造方法以及液晶显示装置
98 95190541.4 掺氮Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体的成膜方法
99 97102271.2 薄膜制备方法和淀积设备
100 96191316.9 制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极
101 86100950 层状织物及其生产工艺
102 85104968 辉光放电分解装置
103 86108412 光电动势元件及其制备工艺和设备
104 86108453 电子摄影光敏元件及其制造方法和装置
105 86106620 利用磁场的微波增强型化学气相淀积系统和方法
106 86108452 图象读取光检测器及其制作方法和装置
107 87102849 组合隔膜
108 87104730 等离子体加速器法离子镀膜装置
109 86106364 等离子体沉积保护膜的方法和装置
110 87106283 化学汽相淀积装置
111 87106947 分离磁体式平面磁控溅射源
112 86108059 聚丁二烯系正型抗蚀剂及合成方法
113 86108446 等离子体照相的新型记录片
114 88101737 汽相淀积金刚石的方法及装置
115 88104436.9 用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法
116 88104424.5 等离子体薄膜淀积过程的控制
117 89101695.3 光纤湿度传感器
118 89100619.2 微波等离子化学汽相淀积装置
119 89100618.4 用微波等离子化学气化沉积法形成以Ⅲ和Ｖ族原子为主组分的功能沉积膜的方法
120 88104482.2 盘形分子泵动静盘片匹配方式及其设备
121 89107140.7 弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法
122 89101507.8 一种金属氧化物超导薄膜的制备方法
123 90104216.1 钕铁硼制品的除锈方法及装置
124 90104215.3 钕铁硼制品镀覆有机膜的方法及装置
125 89103425.0 微波等离子体处理装置
126 90103311.1 连续形成大面积膜的微波等离子体化学汽相淀积方法及设备
127 90106810.1 应用微波等离子体CVD连续形成大面积实用淀积薄膜的方法和装置
128 90105087.3 双直流等离子体化学气相沉积装置
129 91109955.7 汽相淀积金刚石的方法及装置
130 90110381.0 制备氧化铁酒敏薄膜的方法
131 91101620.1 在低熔点衬底上淀积金刚石状碳膜的方法
132 91111900.0 等离子氯化法制备金红石型钛白粉
133 91103079.4 Ｘ射线聚束光刻法及其装置
134 92112536.4 半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
135 92111259.9 快速等离子处理的设备和方法
136 92105729.6 类金刚薄膜防霉磁盘及其常温多片生产方法
137 92114137.8 防霉磁盘及其制备方法
138 92114905.0 一种纳米硅薄膜的制备方法
139 93105935.6 等离子体汽相沉积设备
140 93116734.5 采用晶态硅薄膜阻光层的液晶光阀及其制造方法
141 92111981.X 高真空多靶磁控溅射方法和装置
142 92111980.1 多等离子体束溅射共沉积装置
143 93121123.9 形成微细图形的方法
144 94102771.6 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
145 94106741.6 利用磁场的微波增强型CVD系统和方法
146 94106284.8 溅射电极
147 94106740.8 利用磁场的微波增强型CVD系统和方法
148 94105410.1 人造金刚石手术刀的制作工艺
149 94119444.2 半导体器件及其制造方法
150 94113776.7 在塑料基体表面上沉积薄层的方法
151 94120757.9 制造光电池的方法和设备
152 94119379.9 强电介质薄膜及其制造方法
153 94110656.X 气相合成金刚石的方法
154 95114880.X 等离子体增强电化学表面陶瓷化方法和产品
155 95117780.X 半导体器件的制造方法
156 94118401.3 气相离子镀膜方法与其装置
157 95101916.3 薄膜传感元件及其制造方法
158 95108952.8 形成金刚石膜的方法
159 95115696.9 快速等离子处理的设备和方法
160 95107166.1 半导体集成电路装置的制造方法
161 95106420.7 制造薄膜晶体管和液晶显示装置的方法
162 95120132.8 半导体装置的制造方法
163 95120071.2 制造半导体器件的方法
164 94116973.1 一种用于激光印字机直接制版的胶印版材及其制备方法
165 95120912.4 等离子体加工方法和等离子体加工装置
166 96101296.X 半导体器件制造方法
167 95111077.2 一种低温镀复金刚石薄膜的方法及设备
168 85100896 半导体表面钝化方法
169 97109935.9 改善高温超导薄膜晶片性能的方法
170 97111907.4 半导体装置之金属布线制造方法
171 97116062.7 在导向套筒和其内表面形成硬质碳膜的方法
172 97120503.5 电子发射膜及方法
173 97116061.9 在导向套筒内表面形成硬质碳膜的方法
174 96192438.1 导筒以及在其内周面上形成硬质碳膜的方法
175 95197370.3 等离子体处理装置和方法
176 96122284.0 一种交流薄膜电致发光器件的制备方法
177 97190378.6 无粘合剂柔韧层合制品及其制作方法
178 96194413.7 从载氧化铁物质中回收金属的方法
179 97121761.0 可防止浪费蒸发材料的离子镀膜装置
180 97126391.4 使用低温等离子体工艺提高模具释放效果的方法
181 98106099.4 表面处理方法
182 98101147.0 等离子体增强化学汽相淀积装置和进行所述淀积的方法
183 98100991.3 半导体器件及其制造方法
184 98108918.6 半导体器件的制造方法
185 98801248.0 制造半导体薄膜的方法及其所用设备
186 98102366.5 表面等离子体谐振测试仪
187 98124734.2 半导体器件及其制造方法
188 97121868.4 微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
189 97195264.7 表面的分子组装
190 98125867.0 非性线电阻
191 98118448.0 制造半导体器件的方法
192 98111833.X 一种碳基薄膜合成方法
193 99102764.7 具有浅隔离槽的半导体器件
194 98100527.6 半导体器件成膜方法
195 97197108.0 等离子腐蚀反应器及用于新出现的膜的方法
196 99105574.8 半导体器件制造方法
197 99106081.4 形成多级互连结构的方法
198 98120207.1 一种光波导装置的制造方法
199 98117918.5 金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法
200 98120607.7 在掩膜二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法
201 97191299.8 导衬的内周面上形成的硬质碳膜的剥离方法
202 98103109.9 半导体器件及其制造方法
203 98102661.3 具有多层布线的半导体器件的制造方法
204 98125282.6 半导体器件的制造方法
205 98126184.1 形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法
206 97181529.1 用等离子体转化炉生产氢气的方法和装置
207 99121081.6 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
208 99121082.4 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
209 99126150.X 增强无机介质与铜的粘附性的等离子体处理
210 98806296.8 用类金刚石碳镀覆刃口的方法
211 99126970.5 结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法
212 99100407.8 等离子体增强电化学表面陶瓷化方法及其制得产品
213 99100406.X 等离子体增强电化学表面陶瓷化方法及其制得产品
214 99120702.5 真空涂层形成装置
215 99127573.X 硅衬底上适于键合技术的金刚石膜制备工艺
216 99800778.1 在聚合物薄膜产品上的多层金属化复合材料及其制造方法
217 98809989.6 用于沉积薄膜的双频等离子激发
218 00107439.3 金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法
219 00121639.2 半导体器件及其制造方法
220 99111369.1 半导体器件及制造该半导体器件的方法
221 97182041.4 用于减少光学基片反射的涂层、方法和设备
222 97182080.5 磁阻元件的制造方法
223 98805426.4 用于杀菌处理流体的产品
224 00111236.8 等离子体协同壳糖鲜和真空冷藏的果蔬食品保鲜解毒法
225 99117965.X 介电层的制造方法
226 99801904.6 太阳能电池装置及其制造方法
227 99801765.5 薄膜形成方法及半导体发光元件的制造方法
228 99802399.X 从基片上灰化有机物质的方法
229 00125465.0 低介电常数绝缘介质α－SiCOF薄膜及其制备方法
230 99802256.X 半导体装置的制造方法
231 99802140.7 给由镍或镍合金组成的薄金属片镀膜的方法
232 99802139.3 给由镍或镍合金组成的薄金属片镀膜的方法
233 99119465.9 阴极电弧蒸镀方式淀积类金刚石碳膜的制备方法
234 00129855.0 纳米硅薄膜及其制备工艺
235 00135989.4 溅射铜用自离化的等离子体
236 00128293.X 一种等离子化学气相沉积镀膜方法和设备
237 00101623.7 薄膜的制作方法及制作装置
238 00801204.0 在基体上形成膜的方法和装置
239 00136262.3 微波等离子体源
240 01114470.X 活塞环表覆钛基纳米陶瓷及其方法
241 00801762.X 其电极具有大量均匀边沿的等离子聚合设备
242 01121264.0 "非晶形硬碳膜,机械部件及生产非晶形硬碳膜的方法"
243 01104348.2 有机膜的腐蚀方法、半导体器件制造方法及图形形成方法
244 00112312.2 TiNi内支撑架涂膜工艺
245 01119272.0 离子镀设备和离子镀方法
246 98814345.3 薄膜成形设备
247 00133333.X 半导体器件的制造方法和设备
248 99124638.1 金属氧化物或合金薄膜的化学气相淀积方法及装置
249 99805837.8 硅氧烷水凝胶接触镜片的等离子体表面处理
250 99805864.5 硅氧烷水凝胶接触镜片的等离子体表面处理
251 00800630.X IC制造业中的PECVD－Ti和CVD－Ti薄膜的单一腔室加工方法
252 00133099.3 表面等离子体共振响应基片的湿化学制备方法
253 01111389.8 形成淀积膜的设备和方法
254 00134483.8 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
255 00134482.X 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
256 01124925.0 "硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光电元件"
257 01126358.X 纳米金刚石薄膜的制备装置
258 01126401.2 斜拉悬梁支撑膜结构的微机械热电堆红外探测器阵列
259 99813916.5 溅射装置
260 99814158.5 用于产生等离子体的空心阴极阵列
261 99816381.3 半导体集成电路器件及其制造方法
262 01126424.1 用于电极的导电金刚石薄膜及其制备方法
263 01121189.X 用于非晶态硅和形成的薄膜的化学气相沉积法
264 01136667.2 使偏振表面等离子体传感器反射谱最低点为零的调试方法
265 01141324.7 一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品
266 00806888.7 从钽卤化物前体得到的热化学气相沉积钽氮化物膜的等离子体处理方法
267 01135597.2 形成半导体器件的金属线的方法
268 01137781.X 半导体集成电路系统
269 00807740.1 DLC膜、涂有DLC膜的塑料容器、其生产设备及方法
270 00806856.9 从钽卤化物前体得到的钽氮化物膜的等离子增强的化学气相沉积方法
271 00804309.4 制造绝缘薄膜的方法
272 01143879.7 等离子体处理方法
273 01144786.9 半导体器件中形成金属栅的方法
274 00807778.9 具有高角度分辨率和快响应时间的表面等离子体共振检测
275 01106414.5 用陶瓷镀膜和难氧化金属镀膜的金属箔及金属薄材
276 01801032.6 多孔SOG膜的制备方法
277 01109030.8 使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法
278 02105097.X 半导体器件的制造方法
279 02104596.8 发光器件及其制造方法
280 02106937.9 碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备
281 02107438.0 具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法
282 02119067.4 硅基膜、其形成方法和光伏元件
283 01109758.2 聚酯织物的透湿处理方法
284 02118756.8 多晶金膜的电化学表面纳米处理方法
285 00808385.1 沉积的薄膜空隙－柱网络材料
286 01119773.0 集成电路研磨平坦化的方法
287 02118172.1 半导体装置及其制备方法
288 02118173.X 除去氮化硅膜的方法
289 01140757.3 薄膜的形成方法
290 200710047376.8 氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
291 200710053648.5 脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO₂薄膜的方法
292 200710053649.X 脉冲激光沉积制备硅基锐钛矿相TiO₂薄膜的方法
293 200610151713.3 一种耐磨损抗腐蚀且高透明度的镀膜的制作方法
294 200680008164.2 磁传感器及其制造方法
295 200580045357.0 掺杂的金属氧化物膜和制造该掺杂的金属氧化物膜的系统
296 200710166935.7 采用气体扩散板通道设计的等离子体均匀度控制
297 200710018516.9 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备
298 200680009747.7 无定形碳膜的制备方法
299 200710134954.1 一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器
300 200710121861.5 一种制备平面电容谐振器的方法
301 200680009909.7 磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及表面处理装置
302 200680010824.0 从衬底去除氧化物的方法和系统
303 200680010825.5 用于形成高介电常数电介质层的方法和系统
304 200680010882.3 用于形成氧氮化物层的方法和系统
305 200680010595.2 绝缘膜的制造方法和半导体装置的制造方法
306 200610126347.6 等离子体镀膜装置及其镀膜方法
307 200610122517.3 透明MgO薄膜制备方法及所得产品
308 200610116907.X 高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环
309 200710146641.8 蚀刻方法以及半导体器件的制造方法
310 200680010986.4 氧化硅膜的制造方法、其控制程序、存储介质和等离子体处理装置
311 200710047458.2 一种低温常压等离子体改性负载型二氧化钛光催化剂的制备方法
312 200710135542.X 化学气相沉积的设备
313 200710176081.0 微机械开关低应力氮氧化硅桥膜的制备方法
314 200710150221.7 高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法
315 200710150230.6 改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法
316 200710150231.0 SnO₂为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法
317 200680012508.7 等离子体掺入方法和等离子体掺入设备
318 200680012436.6 半导体芯片的制造方法和半导体芯片
319 200680012437.0 半导体芯片的制造方法
320 200680013444.2 采用等离子体CVD法的蒸镀膜
321 200480044409.8 表面等离子体共振和石英晶体微天平传感器
322 200610022062.8 在晶体硅太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备
323 200610113799.0 一种测量高速微粒速度和直径的方法及装置
324 200710104464.7 利用图案掩模的等离子体蚀刻法
325 200710181968.9 基板平台和等离子处理装置
326 200710163720.X 半导体装置的制造方法
327 200710190436.1 一种纳米硅薄膜的制备方法
328 200710134457.1 铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法
329 200710193357.6 岛状突起修饰部件及其制造方法和采用它的装置
330 200710059935.7 具有相变特性二氧化钒纳米薄膜的制备方法
331 200710154131.5 用于PECVD沉积工艺期间包覆屏蔽的系统和方法
332 200710167543.2 光学常数计算方法和基板处理系统
333 200710142754.0 半导体装置的制造方法
334 200710163362.2 高耐压半导体器件及高耐压半导体器件的制造方法
335 200680017894.9 静电吸盘
336 200710172154.9 溅射镀膜离子束辐照增强方法
337 200710020864.X 光学测量系统的屏蔽方法
338 200710186006.2 薄膜半导体装置的制造方法
339 200710168675.7 固体氧化物燃料电池三合一电极的制备方法
340 200710144856.6 复合多模式等离子体表面处理装置
341 200710120861.3 表面活性剂法制备表面平整的高质量氧化锌外延薄膜
342 200610118548.1 一种电可擦除存储器隧穿氧化层的形成方法
343 200610119361.3 苯并环丁烯层的形成方法
344 200680019332.8 压电振子及其制造方法
345 200610119563.8 超大规模集成电路逻辑器件中斜肩式侧墙的刻蚀方法
346 200610147322.4 双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法
347 200610165112.8 一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法
348 200710168159.4 等离子处理装置
349 200710159083.9 一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法
350 200610169568.1 检测反应腔室内等离子体分布密度的方法
351 200680022981.3 用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法
352 200680014729.8 通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
353 200610148165.9 对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法
354 200610155915.5 一种磁控管溅射装置
355 200710164825.7 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
356 200610147949.X 浅沟槽隔离成形工艺
357 200610155973.8 巨磁阻磁传感器及其制备方法
358 200680023575.9 金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置
359 200710060541.3 射频磁控溅射法制备超硬TiB₂/TiAIN纳米多层膜
360 200710198636.1 铁电膜、半导体装置、铁电膜的制造方法及其制造装置
361 200710304748.0 一种产生近场纳米光束的装置
362 200710063203.5 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法
363 200710000305.2 一种半导体制造设备反应室的清洁方法
364 200710002178.X 提高膜层应力的方法以及高应力层的形成方法
365 200680025731.5 表面增强的光谱法、挠性结构化基底及其制备方法
366 200680025436.X 离子源和等离子体处理装置
367 200680026619.3 片状等离子体成膜装置
368 200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
369 200810007837.3 红外光学窗口用HfON/BP增透保护膜及其制备方法
370 200710150996.4 一种进行电极剥离的方法
371 200810003745.8 发光器件及其制造方法
372 200680027937.1 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
373 200710177462.0 等离子体自光极化反应装置及其方法
374 200810002264.5 无粘接剂芳香族聚酰胺-聚酯叠层体及其制造方法和制造装置
375 200810056752.4 抗西尼罗病毒膜蛋白E的单克隆抗体及其应用
376 200810032463.0 金属溅射低温制备结晶TiO₂膜的方法
377 200710002575.7 脉冲式等离子体镀膜方法
378 200710056297.3 制备ZnMgO合金薄膜的方法
379 200710165887.X 半导体装置及其制造方法
380 200810070672.4 一种红外光源及其制备方法
381 200710063643.0 高效低成本薄片晶体硅太阳能电池片工艺
382 200710090894.8 低压有机薄膜晶体管及其制备方法
383 200680030052.7 利用气体注入孔的PECVD的光发射干涉测量
384 200680029299.7 使用低温沉积含碳硬掩膜的半导体基材制程
385 200680030441.X 电路连接结构体及其制造方法以及电路连接结构体用的半导体基板
386 200680029502.0 等离子体处理装置
387 200710005079.7 改善大面积镀膜均匀性的方法
388 200710005080.X 纳米晶硅的等离子体沉积方法
389 200710005084.8 单室等离子箱制作薄膜硅光电转换器件的方法
390 200710005089.0 大批量生产薄膜的等离子箱
391 200710005090.3 可移式等离子箱单室大批量镀膜的方法
392 200710005085.2 纳米晶硅的形成方法
393 200810055626.7 一种长程表面等离子波折射率检测芯片
394 200810024482.9 等离子体平板光源
395 200710004965.8 透明导电氧化物的等离子体沉积方式
396 200710004968.1 减少氢化硅薄膜光伏器件内反射的方法
397 200710004972.8 获得氢化硅薄膜粗糙表面的方法
398 200710004981.7 改进非晶硅太阳能电池稳定性的方法
399 200710004983.6 非晶硼碳合金及其光伏应用
400 200710004980.2 硼迹量掺杂的本征氢化硅薄膜
401 200710005081.4 氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜
402 200680030657.6 半导体装置的制造方法
403 200810103816.1 无标记噬菌体展示蛋白质芯片及其制备和检测方法
404 200810070815.1 光隔离器的无胶连接制作方法
405 200810023268.1 耐电晕聚酰亚胺薄膜制作绕组线的生产方法
406 200810004926.2 半导体器件的制造方法
407 200810080431.8 Si膜形成方法及形成装置
408 200810034575.X 一种对电池隔膜用无纺丙纶改性的方法
409 200680031339.1 具有高阻绝性的合成树脂制容器
410 200410016650.1 一种等离子体磁场过滤装置
411 200410012817.7 利用复合掩膜进行反应离子深刻蚀二氧化硅的方法
412 02819042.4 处理方法
413 200410003470.X 一种优化的压电驱动微喷装置及其加工方法
414 02819627.9 金属氧化物薄膜及其制造方法
415 03139648.8 等离子体电解氧化制备黑色陶瓷氧化膜的方法及其制品
416 03139649.6 等离子体电解氧化制备陶瓷氧化膜的方法及其制品
417 03142448.1 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
418 03145338.4 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
419 200410014764.2 经编镀银内衣面料的生产方法
420 200410058831.0 等离子处理装置及其清洗方法
421 200410057407.4 金属硅化物膜的制作方法和金属氧化物半导体器件
422 200310110392.9 用于生产复合薄膜的靶子相互面对的箱形溅射装置和方法
423 200410055617.X 硅薄膜太阳能电池的制造方法
424 200410056706.6 滑动零件的制造方法及滑动零件
425 200410018422.8 紫外吸收有机薄膜压缩激光脉宽的方法
426 200410047689.X 半导体装置的制造方法
427 200410003884.2 半导体器件的布线结构
428 200410046293.3 半导体器件及其制造方法
429 200410047930.9 场致发光板和场致发光板的制造方法
430 02821122.7 用于壁膜监测的方法与设备
431 200410053257.X 一种用表面接枝技术制备纳滤膜的方法
432 200410068275.5 薄膜晶体管及其电路的制作方法
433 200410071047.3 "在(La,Sr)(Al,Ta)O₃上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法"
434 200410063435.7 用于制造压模的方法、压模及光记录介质
435 200410071658.8 等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法
436 200410073909.6 等离子体蚀刻方法
437 03151022.1 等离子体增强式化学气相沉积处理方法
438 03151024.8 多沉积步骤的高浓度等离子化学气相沉积方法
439 200410080099.7 凝结型干燥器
440 200410067546.5 轿车防护用布及其制造方法
441 200410044011.6 复合等离子体表面处理装置
442 200410009724.9 具有低写入电流特性的磁随机存储器存储单元及其制备方法
443 200410083360.9 层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法
444 200410075114.9 具有硅化物薄膜的半导体器件及其制造方法
445 200410087416.8 半导体激光器的制造方法
446 02825069.9 用于加工粘连件的方法
447 02824978.X 具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻
448 200410076691.X 溅射成膜装置
449 200410089959.3 半导体器件的制造方法
450 03801786.5 衍射光学器件以及用于制造所述光学器件的方法
451 02826268.9 CORAL膜片上蚀刻及剥离后残留物的脱除方法
452 200310106822.X 连续表面处理装置被处理物移送方法
453 200310106767.4 空调器热交换器的防侵蚀装置
454 200410086993.5 半导体器件的制造方法
455 200410083479.6 半导体装置及其制造方法
456 02826800.8 等离子体反应用气体、其制备方法和应用
457 200410060530.1 薄膜复合制备方法与装置
458 200410066749.2 提高光学薄膜激光损伤阈值的镀膜方法
459 200310106942.X 制备纳米薄膜的方法
460 200310108409.7 形成氮氧化硅的方法
461 200310113432.5 用脉冲电弧等离子体蒸发离化源制备纳米多层膜的方法
462 200410079417.8 制造半导体器件的方法
463 200410092709.5 半导体器件的制造方法
464 02828004.0 微波等离子体源
465 200410097810.X 半导体器件的制造方法
466 200410008502.5 处理方法及装置
467 200410082998.0 一种掺铒/铒、镱共掺氧化铝光波导放大器的制备方法
468 200410100222.7 薄膜晶体管的制造方法
469 200410100225.0 薄膜晶体管元件的制造方法
470 200410100237.3 薄膜晶体管元件的制造方法
471 200410100242.4 薄膜晶体管元件及其制造方法
472 02828340.6 氮化钛膜的形成方法
473 200410088004.6 改变膜结构的氧化方法和以之形成的CMOS晶体管结构
474 200410090926.0 掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
475 200410097854.2 半导体器件及其制造方法
476 02829140.9 有机电致发光器件
477 200410068036.X 微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法
478 200410093454.4 一种减少通孔侧壁上MOCVD TiN膜厚的等离子体处理工艺
479 200410098296.1 衬底处理器件及其清洗方法
480 200410062127.2 抑制栅极氧化膜劣化的方法
481 200410009939.0 一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法
482 03804690.3 半导体装置的制造方法
483 02825279.9 利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
484 03808176.8 等离子体CVD薄膜形成设备以及制造镀覆有CVD薄膜的塑料容器的方法
485 200310122331.4 多功能光激发表面等离子体共振成像仪
486 200310109600.3 一种金属配线的多步干法刻蚀方法
487 200310109531.6 一种金属布线上层间膜的二步淀积法
488 200410000640.9 对聚烯烃中空纤维微孔膜进行改性处理的方法
489 03806896.6 等离子体蚀刻方法
490 200510006412.7 磁存储器件及其制造方法
491 200410082992.3 用于产生大面积强流脉冲离子束的外磁绝缘离子二极管
492 03809298.0 光致抗蚀剂剥离方法
493 02816292.7 被处理体的蚀刻方法
494 200410073322.5 电解液微弧等离子合成碳氮化钛厚膜的方法
495 200410078636.4 氮化钽及双层的等离子体增强原子层淀积
496 200510007284.8 亲水处理方法及形成布线图形的方法
497 03811926.9 用于改善等离子氮化栅极电介质层中氮分布的方法
498 200510055906.4 一种生长非晶态硅的方法及所得的非晶态硅薄膜
499 200410065998.X 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法
500 03813333.4 基板处理方法
501 03813031.9 印刷布线用基板、印刷布线板及它们的制造方法
502 200410077525.1 一种等离子体重整制备富氢气的方法及其装置
503 03814891.9 旋转型的批量生产用CVD成膜装置和在塑料容器的内表面形成CVD膜的成膜方法
504 03815014.X 半导体器件及其制造方法
505 200510064653.7 一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
506 200510018221.2 飞秒脉冲激光制备β-FeSi₂半导体薄膜的方法
507 200510051178.X 等离子体处理方法和等离子体处理装置
508 200410058732.2 具有浅沟槽隔离的半导体器件及其制造方法
509 03816208.3 在基板上形成绝缘膜的方法、半导体装置的制造方法和基板处理装置
510 03817044.2 等离子体处理设备和等离子体处理方法
511 200510059146.4 绝缘膜成形方法、绝缘膜成形装置和等离子体膜成形装置
512 200510069276.6 在铝酸镁衬底上高质量锌极性ZnO单晶薄膜的制备方法
513 200510069722.3 硬质保护膜及其形成方法、以及硬质保护膜包覆工具
514 03819074.5 氮化钨的汽相沉积
515 03818226.2 大气压二氧化钛CVD涂层
516 200510059261.1 半导体装置及其制造方法
517 200510062519.3 集成电路器件及其制造方法以及形成钒氧化物膜的方法
518 200510018200.0 脉冲激光法制备β-FeSi₂单晶的方法
519 03821732.5 有机硅氧烷共聚物膜、其制造方法以及生长装置和使用该共聚物膜的半导体装置
520 03822058.X 形成半导体基体上的绝缘膜的方法
521 03823166.2 等离子体处理的金属化膜
522 02145925.8 在基材上形成纳米二氧化钛光催化活性剂涂层的方法
523 02145924.X 在基材上形成杂氮纳米二氧化钛光催化活性剂涂层的方法
524 03158703.8 用于制造低反射率薄膜的方法和设备
525 03147818.2 激光CVD设备与激光CVD方法
526 03129607.6 两次曝光全息层析装置及其使用方法
527 02129132.2 等离子体沉积镀膜系统的废气过滤装置
528 02129164.0 等离子体连续镀膜装备的防止气体堵塞装置
529 02125773.6 利用等离子技术的高分子中和膜制造设备及其制造方法
530 02129106.3 表面处理装置和其方法及制品
531 02126923.8 制备深亚微米栅的方法
532 03148584.7 半导体器件及其制造方法
533 03156082.2 半导体存储器件及其制造方法
534 03119603.9 金属膜半导体器件及其制造方法
535 03103396.2 形成金属薄膜的方法
536 03149536.2 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
537 01821536.X 电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法
538 03158198.6 薄膜形成装置及形成方法
539 03150458.2 一种纳米粒子表面物理化学结构裁剪包覆方法
540 03156519.0 电子装置用衬底、电子装置用衬底的制造方法、及电子装置
541 02803997.1 等离子体CVD法及其装置
542 03150740.9 医用高压静电治疗膜的制造方法
543 03158763.1 多晶硅的蚀刻方法
544 02807542.0 互补型MIS器件
545 200310120660.5 半导体器件及其制造方法
546 200310120734.5 制造光学元件的方法，光刻装置和器件制作方法
547 03160187.1 在金属薄膜上借助氮曝光形成的防腐层
548 200310115486.5 表面改质方法
549 03107338.7 形成铝金属引线的方法
550 200310116504.1 液晶显示装置的制造方法
551 200310114364.4 电介体膜及其形成方法，使用其的半导体装置及制造方法
552 200310119585.0 电路装置的制造方法
553 03152530.X 闪速存储器件的制造方法
554 200310103000.6 半导体器件的制造方法
555 03160164.2 有机电致发光器件及其制造方法
556 01814550.7 恢复电介质膜及电介质材料中疏水性的方法
557 03132585.8 一种用于降解水中有机污染物的改性二氧化钛固定化方法
558 02157979.2 一种热蒸积制备大面积薄膜的方法和装置
559 02811894.4 等离子CVD装置
560 02810753.5 沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路
561 200410001022.6 硅化铁和光电换能器的制造方法
562 200410005255.3 薄膜制作方法和系统
563 03124987.6 半导体装置的制造方法
564 02812840.0 用于从有机液体中合成高度定向且整齐排列的碳纳米管的方法及设备
565 01823411.9 用于制造涂有DLC膜的塑料容器的装置、涂有DLC膜的塑料容器及其制造方法
566 02813172.X 制备低介电膜的方法
567 02812493.6 干蚀刻方法
568 02805783.X 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
569 03107331.X 氧化硅薄膜的制造方法
570 200410028252.1 半导体器件及其制造方法
571 03113964.7 电池极板的制造方法
572 03151114.7 一种燃料电池中促进化学反应进行的方法
573 02802843.0 等离子体清洗气体和等离子体清洁方法
574 02138801.6 一种金刚石镀膜刀具的制造方法
575 02141383.5 利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法
576 01816762.4 真空处理装置
577 01816653.9 选择性腐蚀氧化物的方法
578 200310108528.2 一种高效聚合物分离膜亲水化改性的方法
579 200310108273.X 一种减少金属线A1空洞的金属线溅射膜工艺
580 200310108278.2 金属线间介质膜的填充工艺
581 200310108279.7 一种金属线间介质膜的两步淀积工艺
582 200410032008.2 半导体模块及其制造方法
583 03121596.3 钛及钛合金制品的等离子体抛光方法
584 03108625.X 一种制作薄膜晶体管的方法
585 200410033379.2 半导体装置的制造方法及半导体装置
586 02808317.2 在宝石或工业钻石上形成标记
587 02808384.9 干蚀刻方法
588 02813794.9 干蚀刻方法
589 02815546.7 半导体装置及其制造方法
590 200310103181.2 一种金刚石涂层Al₂O₃电子陶瓷基片制备技术
591 200310108467.X 一种p-Zn_1-xMg_xO晶体薄膜及其制备方法
592 200410042096.4 沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法
593 200310108857.7 一种制备纳米WC-Co硬质合金的方法
594 200310109274.6 一种微条粒子探测器及其制备方法
595 200310115894.0 离子注入机
596 200410003858.X 等离子腐蚀反应器
597 200410003859.4 腐蚀晶片的方法
598 200410016260.4 一种微条气体室探测器复合基板的制造方法
599 200410022839.1 一种卷曲折叠式化合物微阵列芯片棒及其制备方法
600 200410016257.2 一种微条气体室探测器基板的制造方法
601 200310112661.5 高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺
602 200310110350.5 热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法及装置
603 200410010620.X 表面等离子体共振图像分析金膜点阵列的制备方法
604 200410031409.6 玻璃光学元件的制造方法
605 200410036680.9 半导体器件的形成方法
606 200410038156.5 半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法
607 02818178.6 具有非均匀成分的磁性薄膜盘
608 02817620.0 无电极荧光灯
609 200610023239.6 顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法
610 200610006396.6 蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法
611 200510120730.6 一种TiC陶瓷涂层的制备方法
612 200510128951.8 半导体器件制作方法
613 200610031154.2 固定化单层DNA探针取向调控和实时监测的方法及装置
614 200510119326.7 电路装置的制造方法
615 200610011362.6 一种长程表面等离子波折射率检测芯片
616 200610031234.8 利用纳米金颗粒催化增长提高表面等离子体共振传感器灵敏度的方法
617 200610001540.7 等离子体蚀刻方法
618 200510123062.2 基于丝网印刷工艺的背面点接触硅太阳电池及其制造方法
619 200610059835.X 一种琼脂糖凝胶塑料基片及其制备方法与应用
620 200610006458.3 由印刷图案进行印刷的方法及印刷该印刷图案的生产设备
621 200510128854.9 制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法
622 200610001280.3 蚀刻方法、程序、记录介质和等离子体处理装置
623 200610000511.9 用于改进间隙填充应用的高产能HDP-CVD处理
624 200610003051.5 除去了连接孔内的损伤层、自然氧化膜的半导体装置的制造方法
625 200610051389.8 电子部件、电光学装置及电子机器
626 200610007752.6 立式分批处理装置
627 200610001061.5 一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法
628 200480020648.X 等离子加工设备
629 200510016724.6 薄化表面等离子体共振金膜的方法
630 200510068151.1 制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
631 03824005.X 有选择地覆盖微机加工表面的方法
632 03823600.1 实施等离子体-支持工艺的装置
633 200510066910.0 将流体组件和系统的表面亲水化的方法
634 200510068210.5 等离子体处理方法
635 200380100597.7 双层光刻胶干法显影的方法和装置
636 200380100468.8 等离子腐蚀室及使用其的等离子腐蚀系统
637 200380100441.9 半导体器件制造方法、等离子处理设备及等离子处理方法
638 200380100500.2 半导体晶片的切割方法和切割方法中使用的保护片
639 200510068427.6 溅射靶及使用该靶的溅射方法
640 200510026024.5 室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法
641 200510042673.4 硅片太阳电池制作方法
642 03824814.X 在SHF放电等离子体中从气相沉积金刚石薄膜的高速方法和实施所述方法的装置
643 200410082199.3 采用气体扩散板通道设计的等离子体均匀度控制
644 200410018231.1 多孔膜的处理方法
645 200480000214.3 沉积低介电常数膜的方法
646 200480000687.3 改善低介电常数材料的破裂临界值及机械特性的方法
647 200480000795.0 成膜装置及成膜方法
648 200410070394.4 紫外线阻绝层
649 200510074222.9 磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现设备
650 200380103808.2 等离子体处理装置和等离子体处理方法
651 200510050606.7 基于表面等离子波传感的双光束检测调制装置
652 200510077892.6 形成半导体器件的电容器的方法
653 200380104088.1 波长可调谐表面等离子体激元谐振传感器
654 200480001378.8 用于多层光致抗蚀剂干式显影的方法和装置
655 200510019161.6 一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置
656 200510028705.5 多功能复合磁控等离子体溅射装置
657 200510013901.5 适用SAW器件的纳米金刚石膜及制备方法与用途
658 200510005526.X 形成半导体器件的钝化膜的方法以及这种钝化膜的结构
659 200510077893.0 形成半导体器件的电容器的方法
660 200510054738.7 半导体存储器件及其制造方法
661 200510088422.X 半导体器件及其制造方法
662 200510082096.1 滑动部件的制造方法
663 200510088450.1 具有较佳沉积再现性的等离子体增强化学气相沉积膜层
664 200510026067.3 表面等离子体增强型只读式超分辨数字光盘
665 200510078642.4 制造快闪存储器元件的方法
666 200510076201.0 用稀释的NF₃清洁低温CVD室
667 200380106602.5 薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统
668 200510090359.3 薄膜的制造方法及薄膜
669 200510085026.1 紫外线阻挡层
670 200510069780.6 浮栅非易失性存储器
671 200510092109.3 干蚀刻装置以及安装于其上的气孔装置
672 200510090898.7 用于溅镀镀膜的阳极
673 200510003754.3 一种形成阻障薄膜的方法
674 200480002225.5 等离子体处理装置用的部件、处理装置用的部件、等离子体处理装置、处理装置以及等离子体处理方法
675 200480002342.1 利用等离子体CVD的成膜方法和成膜装置
676 200510093275.5 用来形成一种具有预定电阻率的基膜的方法和装置及其用法
677 200510090897.2 二极管泵浦激光器
678 200410055359.5 纳米级二氧化锆水合物颗粒—水体系中离子脱除方法
679 200510043032.0 一种太阳能电池制作方法
680 200510061049.9 离子交换玻璃光波导器件的制作方法
681 200480003650.6 铁电膜、半导体装置、铁电膜的制造方法及其制造装置
682 200480003663.3 等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置
683 200510102880.4 蚀刻方法及蚀刻装置
684 200510030008.3 直流辉光等离子体化学气相沉积氧化锌薄膜的系统及制备工艺
685 200480005345.0 生产氢化碳氧化硅膜的方法
686 200410072213.1 利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法
687 200410072214.6 利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法
688 200510072223.X 成膜装置及利用成膜装置的成膜系统
689 200510020548.3 PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法
690 200480006689.3 微波等离子体处理装置和等离子体处理用气体供给构件
691 200480007178.3 用于较低EOT等离子体氮化的栅电介质的两步后氮化退火
692 200510099852.1 夹层玻璃及其制造方法
693 200410072492.1 利用等离子的高分子膜连续聚合设备的舱门开闭装置
694 200510062882.5 在半导体器件中形成隔离膜的方法
695 200480010336.0 半导体装置及半导体装置的制造方法
696 200380100145.9 利用等离子体CVD的成膜方法以及装置
697 200480010572.2 成膜装置及成膜方法
698 200480010016.5 微波等离子体处理方法
699 200480010687.1 差动式表面等离子体激元共振现象测定装置及其测定方法
700 200480010470.0 成膜方法
701 200510108611.9 沿片条分割半导体晶片的方法
702 200510113276.1 晶片斜面聚合物去除
703 200510019565.5 一种用于TiO₂光电池的光电阴极及其制备方法
704 200480011829.6 在双掺杂栅应用中改进轮廓控制和提高N/P负载的方法
705 200410009933.3 单次纳米压印制作深纳米T型栅的方法
706 200510124186.2 等离子体控制方法及等离子体控制装置
707 200480011834.7 薄膜形成装置的基板输送装置
708 200410089190.5 轻金属表面微等离子体陶瓷涂层工艺
709 200510124593.3 一种纳米线宽样板及其制备方法
710 200510065046.2 半导体器件制造方法
711 200510126871.9 半导体器件制造方法
712 200510092214.7 通过利用镜子形成的靶溅射设备制造有机发光器件的方法
713 200480012989.2 塑料容器的化学等离子体处理方法及装置
714 200480000584.7 使用直流电偏压加工低介电常数膜的方法
715 200510134214.9 用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法
716 200510096451.0 一种超微环电极及其制备方法
717 200510114957.X 等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
718 200510022733.6 一种扫描电化学和光学显微镜探针及其制备方法
719 200480014164.4 氟化碳膜的形成方法
720 200410102405.2 高效率荧光粉及其制法
721 200410091839.7 类金刚石薄膜镀膜方法
722 200410103443.X 表面纳米组装膜的生产装置
723 200410094049.4 无电极照明灯的光输送装置
724 200480015474.8 紫外(UV)和等离子体辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统
725 200480015314.3 基板处理方法
726 200480015408.0 半导体装置及其制造方法
727 200510048899.5 具有ITO透明导电膜的基板及其制造方法
728 200510000163.0 薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
729 200480010869.9 氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法
730 200510133866.0 成膜方法、液体供给头及液体供给装置
731 200510131594.0 高定向金刚石薄膜及其制备方法、及应用高定向金刚石薄膜的电子器件
732 200610045736.6 一种在树脂镜片上沉积碳膜的方法
733 200610033101.4 一种基于表面等离子体共振现象的指纹图像采集方法
734 200510119228.3 选择性腐蚀氧化物的方法
735 200510050939.X 制作双层栅极介电层的方法
736 200480020691.6 制造被覆有气体阻隔膜的塑料容器的方法
737 200610076274.4 用于高温超导的高W含量Ni-W合金的制备方法
738 200610059674.4 有机电致发光器件制造方法及有机电致发光器件制造装置
739 200480023656.X 低介电常数绝缘膜的制造
740 200610076993.6 用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置
741 200610065825.7 成膜装置和成膜方法
742 200610068071.0 用于制造半导体器件的方法
743 200480023772.1 用于沉积具有可调节的性质的材料的方法和装置
744 200510099497.8 半导体器件及其制造方法
745 200510092679.2 半导体器件及其制造方法
746 200580000957.5 成膜装置及其成膜方法
747 200610002454.8 半导体器件
748 200610050827.9 纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
749 200610010059.4 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法
750 200610026340.7 只读式纳米微结构光盘
751 200610050018.8 微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法
752 02803991.2 电子器件材料的制造方法
753 200610073696.6 包括除去光刻胶的等离子体灰化处理的形成半导体器件的方法
754 200610067369.X 半导体装置的制造方法
755 200610082628.6 干蚀刻方法
756 200510025454.5 一种氮化硅膜的生长方法
757 200610077222.9 薄膜晶体管、显示装置以及电子装置的制造方法
758 200610077224.8 薄膜晶体管及其制造方法
759 200610079300.9 半导体器件和制造半导体器件的方法
760 200610077803.2 半导体器件及其制造方法
761 200610084049.5 有机晶体管、制造半导体器件和有机晶体管的方法
762 200610200563.0 一种氨分解制氢的等离子体催化方法
763 200610082674.6 围堰的形成方法、膜图案的形成方法、装置以及电子机器
764 200610072117.6 等离子体处理装置和等离子体处理方法
765 200610048942.2 贴片电感骨架的连续镀膜装置
766 200610044272.7 一种太阳能电池及其制备方法
767 200480029963.9 改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法
768 200480030051.3 在衬底上沉积材料的方法
769 200510072057.3 光学元件成形模具及其制造方法以及制造装置
770 200510026157.2 用于集成电路的Cu/Ta/Si基衬底结构及其制作方法
771 200610088637.6 半导体器件及其制造方法
772 200480031340.5 用于从衬底去除光刻胶的方法和设备
773 200480030737.2 绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法
774 200510074786.2 利用长程溅射制作液晶取向膜的方法
775 200610076998.9 用脉冲射频等离子体控制薄膜制备中的尘埃颗粒的方法
776 200610088627.2 半导体器件的制造方法
777 200610085008.8 等离子体处理方法
778 200610092457.5 半导体器件及其制造方法
779 200610087187.9 基板处理方法、计算机可读记录介质以及基板处理装置
780 200610099729.4 半导体器件及其制造方法
781 200480034324.1 等离子体处理方法以及等离子体处理装置
782 200610043078.7 一种纳米节距样板及其制备方法
783 200610080920.4 等离子体蚀刻方法、控制程序、计算机存储介质和装置
784 200510126152.7 采用软模形成精细图案的方法
785 200610052568.3 一种屏蔽电磁波辐射的自清洁家电玻璃及其制备方法
786 200610014903.0 绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法
787 200480035836.X 半导体基板导电层表面的净化方法
788 200510041054.3 一种多功能气相淀积装置及固体氧化物燃料单电池制法
789 200480039087.8 等离子处理装置
790 200610029242.9 强磁场下金刚石薄膜的制备方法
791 200510027480.1 含磷硅酸盐玻璃层间介质层的制造方法
792 200510023094.5 薄膜晶体管基板及其制造方法
793 200510027554.1 一种刻蚀方法
794 200610100198.6 制造半导体器件的方法
795 200610095751.1 半导体器件及其制造方法
796 200480037295.4 一种形成硅氧氮化物层的方法
797 200610014781.5 快速加热分解有机硅氧烷制备氧化硅纳米线的方法
798 200610103975.2 等离子蚀刻设备
799 200580000352.6 使用等离子体CVD制备碳膜的装置和方法以及碳膜
800 200580001493.X 成膜方法
801 200610041033.6 防止等离子体煤裂解制乙炔反应器通道结焦的方法及结构
802 200610099590.3 等离子蚀刻设备
803 200580002360.4 半导体装置的制造方法以及成膜系统
804 200610151568.9 制造半导体器件的沟槽隔离的方法
805 200610115612.0 电子元件铜基片、电子元件和电子元件铜基片制备方法
806 200580004749.2 表面等离子共振传感器
807 200510093277.4 一种接枝苯乙烯改性膜及其制备方法和应用
808 200610121688.4 氮化物半导体激光元件及其制造方法
809 200580005303.1 高熔点金属的碳化层的沉积方法
810 200510029261.7 一种控制关键尺寸及其偏差的铝刻蚀工艺方法
811 200610121689.9 半导体器件的制造方法
812 200580006865.8 等离子体处理方法和计算机存储介质
813 200480042264.8 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法
814 200610116508.3 利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜
815 200610151458.2 等离子体灰化方法
816 200480015099.7 绝缘膜的改性方法
817 200580009409.9 硅膜形成装置
818 200580009273.1 等离子体CVD装置
819 200580009563.6 结晶性硅薄膜的形成方法及装置
820 200510116578.4 采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅
821 200610127883.8 通过适于光掩膜制造的碳硬掩膜等离子体蚀刻铬层的方法
822 200610139950.8 半导体器件、半导体器件的制造方法、液晶显示器件、RFID标签、发光器件以及电子器具
823 200610152461.6 制造图像传感器的方法
824 200480042839.6 对物件进行等离子体处理的装置和方法
825 200580011029.9 电子装置用基板及其处理方法
826 200580011287.7 半导体器件及其制造方法
827 200610154049.8 半导体器件以及半导体器件的制造方法
828 200580012179.1 控制等离子制程系统中的制程条件的方法和系统
829 200580013172.1 电路基板、电路基板的制造方法及具有电路基板的显示装置
830 200610081585.X 一种纤维素薄膜的制备方法
831 200610134219.6 一种用于超高功率脉冲非平衡磁控溅射的电源方法
832 200610134141.8 介质阻挡放电等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置
833 200610118053.9 带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法
834 200580015069.0 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
835 200580015521.3 具有经共价结合的亲油性涂层的清洁抹布及其用途和制造方法
836 200580015462.X 半导体工艺中降低微污染的方法
837 200480043079.0 半导体装置及其制造方法
838 200610144562.9 半导体膜、半导体器件和它们的生产方法
839 200610137154.0 半导体装置的制造方法、制造装置、控制程序和计算机存储介质
840 200580016473.X 成膜装置以及成膜方法
841 200610154423.4 一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法
842 200510086792.X 极紫外激光等离子体光源碎片隔离器
843 200510117461.8 薄膜晶体管的制作方法
844 200610154948.8 具有高光催化活性的多孔TiO₂薄膜的制备方法
845 200610064871.5 直接沉积多晶硅的方法
846 200610118917.7 c轴垂直取向的L1₀相FePt磁记录薄膜的制备方法
847 200610098236.9 “L”形电连接晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法
848 200510110232.3 金属电容结构及其制造方法
849 200480043241.9 超亲水性Ti-O-C基纳米膜及其制备方法
850 200580018635.3 掺入杂质的方法和使用该方法的电子元件
851 200580018358.6 光电二极管及其制造方法
852 200510110470.4 深沟道器件的刻蚀方法
853 200610148506.2 等离子体蚀刻方法
854 200610129817.4 铜铟镓硒太阳电池窗口层沉积的一种新方法
855 200510110543.X 一种横向PNP晶体管及其制造方法
856 200610160578.9 半导体元件以及半导体元件的制造方法
857 200580020739.8 真空成膜装置
858 200580015223.4 氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
859 200610114474.4 一种供给高频等离子火焰用空气的净化系统及方法
860 200610163825.0 一种多孔SiO₂薄膜的制备方法
861 200610148518.5 互连结构及其形成方法
862 200580020329.3 等离子体离子注入系统的原位处理室制备方法
863 200510111130.3 STI沟槽填充方法
864 200510111179.9 实现STI的工艺方法
865 200580023504.4 氟树脂制管状薄膜的内周面处理方法、氟树脂制管状薄膜、氟树脂制管状薄膜的内周面处理装置、 P F A制管状薄膜的内周面处理方法、 P F A制管状薄膜、 P F A制管状薄膜的内周面处理装置及滚筒
866 200580023267.1 半导体器件的制造方法
867 200610151165.4 一种含有掺杂剂元素的石墨靶材的制备方法
868 200610148157.4 一种直流放电活性原子束喷射制备氮化碳纳米薄膜的方法
869 200610148070.7 可释放热失配应力的硅基碲镉汞凝视红外焦平面器件芯片
870 200580025175.7 SOI基板及其制造方法
871 200610126946.8 对于用于沉积含铝金属膜和含铝金属氮化物膜的装置的清洁方法
872 200610148503.9 疏水结构及其制法
873 200510135209.X 一种兼有干涉效应和等离子振荡效应的传感器及其用途
874 200610151548.1 制造半导体装置的方法
875 200610151550.9 制造半导体装置的方法
876 200610156578.1 等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质
877 200610080309.1 形成用于离子注入的掩模图案的方法
878 200710004041.8 半导体装置的制造方法
879 200580026461.5 半导体装置的制造方法
880 200610161329.1 一种透明阻隔氧化铝薄膜生产工艺
881 200610168097.2 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
882 200610134934.X 软基纳米半导体敏化薄膜太阳能电池及制造方法
883 200610167195.4 氮化镓基发光二极管及其制造方法
884 200610155888.1 "光催化剂(Ti,X)O₂掺杂金属离子薄膜的制备方法及装置"
885 200610147219.X 低温下制备锐钛矿晶相二氧化钛薄膜的方法
886 200580025592.1 制造磁记录介质的方法
887 200580025755.6 半导体器件的制造方法以及半导体晶片分割掩膜的形成装置
888 200580027289.5 有机电致发光器件及其制造方法
889 200610130499.3 铝质载体支撑分子筛膜催化精馏填料的制备方法
890 200710026331.2 GMR 自旋阀磁标记免疫生物传感器阵列检测方法及系统
891 200610146540.6 等离子体处理方法、等离子体处理装置和存储介质
892 200610164521.6 等离子体处理装置和等离子体处理装置的控制方法
893 200580027616.7 成膜方法、成膜装置及存储介质
894 200610002680.6 一种原位生长制备半导体纳米管的方法
895 200580029355.2 在低利用工艺中流量和压力梯度的去除
896 200580029617.5 半导体器件的制备方法以及用该方法制备的半导体器件
897 200710026859.X 等离子体增强沉积薄膜装置的基片台
898 200710055259.6 电化学原位时间分辨表面等离子体共振测量仪
899 200580027949.X 磁记录介质及其制造工艺
900 200580028245.4 沉积多孔膜的方法
901 200610155879.2 介电薄膜BaTiO₃掺杂金属离子的制备方法及装置
902 200710006580.5 等离子体处理装置和等离子体处理方法
903 200710037620.2 一种扩散阻挡层的制作方法
904 200610066752.3 使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法
905 200580022984.2 通过气体分散器的等离子体均匀度控制
906 200610130006.6 磁控溅射技术合成超硬薄膜的新工艺
907 200710079104.6 基板处理室的洗净方法、存储介质和基板处理室
908 200580024803.X 具有谐振平台的椭圆光度装置
909 200580031845.6 半导体装置的制造方法
910 200710064690.7 实现表面等离子体结构成形的方法
911 200710051245.7 金属基底上合成纳米金刚石的方法及应用
912 200710051244.2 微波等离子低温合成金刚石膜的方法
913 200710086184.8 处理方法
914 200710084786.X 等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质
915 200580033312.1 半导体存储装置及其制造方法
916 200710039226.2 电磁波屏蔽织物的真空溅射镀膜和化学镀膜复合制造方法及其产品
917 200710026434.9 能判别角度旋转方向的角度测量方法及装置
918 200580018628.3 使用超快脉冲激光沉积制造电化学装置的方法
919 200710051833.0 在石英圆管内或外壁镀(类)金刚石薄膜的方法及装置
920 200610113964.2 微棱镜阵列SPR生物传感器组件
921 200710088380.9 等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
922 200610024667.0 半导体器件栅极结构的制造方法
923 200580034781.5 半导体芯片制造方法
924 200710091348.6 等离子体处理方法及等离子体处理装置
925 200710091350.3 等离子体处理装置和等离子体处理方法
926 200710091524.6 低介电常数膜的损伤修复方法、半导体制造装置、存储介质
927 200710091580.X 等离子体蚀刻方法、蚀刻装置、存储介质
928 200580036456.2 绝缘膜形成方法及基板处理方法
929 200710091615.X 半导体装置的制造方法和半导体装置
930 200580037595.7 生产光纤预制件的方法
931 200680001097.1 半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法
932 200710008642.6 一种基于膜过滤技术的金属冶炼厂污水回用方法
933 200710089425.4 等离子体处理装置
934 200710089463.X 等离子体处理装置
935 200710100693.1 等离子体处理装置和等离子体处理方法
936 200710089423.5 等离子体蚀刻方法
937 200580035907.0 等离子体溅射成膜方法和成膜装置
938 200580035585.X 在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备
939 200680001055.8 半导体器件的制造方法
940 200580036152.6 栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
941 200710061889.4 抗菌醋酸纤维素纳滤膜及其制备方法
942 200580038423.1 包装用叠层体和使用该叠层体的包装用袋体及电子材料制品包装用袋体
943 200710022324.5 化验采集板的制备方法
944 200710022325.X 电子水泡表面低温沉积电容薄膜的制备方法
945 200610017665.9 碲铟汞光电探测器芯片制作方法
946 200580039353.1 物理沉积系统
947 200580030957.X 阻挡膜形成用内部电极以及成膜装置
948 200610078173.0 运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法
949 200580034047.9 以等离子体增强化学气相沉积制造具低应力的低K值介电质的低温工艺
950 200710099556.0 红外光学窗口用DLC/BP增透保护膜及其制备方法
951 200710128289.5 高温电容器及其制造方法
952 200680001335.9 半导体装置的制造方法、半导体装置、等离子体氮化处理方法、控制程序和计算机存储介质
953 200710106820.9 使用振幅调制射频功率的缝隙填充方法及其设备
954 200710005505.7 用于半导体器件的绝缘膜沉积方法
955 200610078213.1 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法
956 200710100607.7 半导体加工装置用陶瓷覆盖部件
957 200610011925.1 基于表面等离子波的多功能光吸收、散射与发射光谱仪
958 200610011926.6 光激发彩色表面等离子体共振成像仪
959 200610040329.6 铝基印刷电路板及其制作方法
960 200710104272.6 低温等离子体处理装置
961 200710118133.9 提高AIN介质薄膜反应直流溅射速率的自动控制方法
962 200710090263.6 集成工艺调制一种利用HDP-CVD间隙填充的新型方法
963 200680001355.6 选择性等离子体处理方法
964 200710042881.3 一种柔性温度传感器的制作方法
965 200580043869.3 成膜方法和存储介质
966 200710127001.2 等离子体掺杂方法
967 200710111996.3 等离子体掺杂方法
968 200710112000.0 等离子体掺杂方法
969 200610083998.1 一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法
970 200610014376.3 等离子处理高阻隔膜工艺
971 200710001440.9 形成金属薄膜和金属布线图案的方法及显示面板制造方法
972 200580045366.X 隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非易失性存储元件，以及控制程序和计算机可读取的存储介质
973 200580045808.0 磁性多层膜的制造方法
974 200710052544.2 室温下发射蓝光和紫光的氧化锌薄膜及其制备方法
975 200710126879.4 基板处理方法和基板处理装置
976 200710070016.X 一种ZnO基发光二极管及其制备方法
977 200680001884.6 卷绕式等离子CVD装置
978 200710043745.6 刻蚀氮化铝薄膜微图形的方法
979 200680002218.4 电介质膜的成膜方法
980 200610098836.5 一种用于制作微滤光片阵列的新工艺
981 200710018181.0 无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法
982 200710141164.6 等离子腐蚀反应器
983 200710149410.2 半导体处理的成膜装置和此装置的使用方法
984 200710128153.4 等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
985 200610028945.X 低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法
986 200580045165.X 半导体装置的制造方法
987 200680003081.4 半导体芯片的制造方法及半导体芯片
988 200710018519.2 等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构
989 200710136156.2 等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
990 200610029070.5 掺氟氧化硅玻璃层间绝缘膜的集成方法
991 200710043460.2 一种Cu_xO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法
992 200710053047.4 金刚石膜的抛光方法
993 200610029473.X 用于与高密度等离子机台的工艺腔体衔接的气体管路装置
994 200710055313.7 往返循环跟踪表面等离子体角动态变化的测量方法
995 200610052619.2 压容式传感器基片成腔方法
996 200610108350.5 等离子体刻蚀系统
997 200680005059.3 等离子体处理设备，用于其电极构件及电极构件制造和重复利用方法
998 200710121240.7 一种基于负折射率透镜的亚波长连续面形微结构制备方法
999 200710140387.0 等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置
1000 200710140388.5 等离子体处理装置用的载置台及等离子体处理装置
1001 200610029915.0 双镶嵌结构的制造方法
1002 200710119622.6 一种具有阻隔兼防护功能的纳米薄膜及其制做方法
1003 200710105526.6 液晶配向系统
1004 200710105527.0 液晶配向制法
1005 200680006165.3 无声放电式等离子体装置
1006 200610030356.5 低温等离子过氧化氢灭菌设备药水注入控制阀
1007 200610047519.0 硅凝胶被塑料薄膜包覆的封合方法及其成品
1008 200610030348.0 沟槽型MOS晶体管的制造方法
1009 200710132145.7 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
1010 200810088179.5 含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积
1011 200810023430.X 一种异形蚕丝生产工艺
1012 200810005732.4 半导体基板的制造方法
1013 200810033890.0 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
1014 200810086373.X 一种燃料电池用双极板及其表面氮铬薄膜制备方法
1015 200810086374.4 一种燃料电池用双极板及其表面碳铬薄膜制备方法
1016 200810086375.9 一种燃料电池用双极板及其表面氮镍铬薄膜制备方法
1017 200810036105.7 金属半导体复合超分辨薄膜及其制备方法
1018 200810064329.9 在铜及其合金表面等离子体液相电解沉积陶瓷膜的方法
1019 200710064257.3 一种基于聚乙二醇的表面等离子共振仪芯片及其制备方法
1020 200810036559.4 一种p型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法
1021 200580039774.4 适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺